N-Kanal MOSFET Transistor STD5NM50T4, 500 V 7,5 A, DPAK 3-pin
- RS Stock No.:
- 877-2867P
- Mfr. Part No.:
- STD5NM50T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Subtotal (25 units, supplied on a continuous strip)*
CHF.38.875
- 2'500 unit(s) ready to ship from another location
Units | Per unit |
|---|---|
| 25 - 620 | CHF.1.555 |
| 625 - 1245 | CHF.0.848 |
| 1250 - 2495 | CHF.0.828 |
| 2500 + | CHF.0.808 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 877-2867P
- Mfr. Part No.:
- STD5NM50T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 800 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Vorwärtssteilheit | 3.5S | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 6.2mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 415 pF @ 25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 16 ns | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 800 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Vorwärtssteilheit 3.5S | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 6.2mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 415 pF @ 25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 16 ns | ||
Höhe 2.4mm | ||
Serie MDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN