N-Kanal MOSFET Transistor MDS5652URH Dual, 30 V 7,5 A, SOIC 8-pin
- RS Stock No.:
- 871-4990
- Mfr. Part No.:
- MDS5652URH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.263 | CHF.6.46 |
| 125 - 225 | CHF.0.212 | CHF.5.30 |
| 250 - 475 | CHF.0.182 | CHF.4.46 |
| 500 - 2975 | CHF.0.162 | CHF.4.16 |
| 3000 + | CHF.0.152 | CHF.3.86 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 871-4990
- Mfr. Part No.:
- MDS5652URH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 17,4 ns | |
| Vorwärtssteilheit | 25S | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.75V | |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 460 pF @ 30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,7 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 3,8 ns | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 35 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 17,4 ns | ||
Vorwärtssteilheit 25S | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.75V | ||
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 460 pF @ 30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,7 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 3,8 ns | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN