N-Kanal MOSFET Transistor MDS1528URH, 30 V 11,9 A, SOIC 8-pin
- RS Stock No.:
- 871-4984
- Mfr. Part No.:
- MDS1528URH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.202 | CHF.4.95 |
| 125 - 225 | CHF.0.192 | CHF.4.85 |
| 250 - 475 | CHF.0.192 | CHF.4.75 |
| 500 - 2975 | CHF.0.182 | CHF.4.67 |
| 3000 + | CHF.0.182 | CHF.4.57 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 871-4984
- Mfr. Part No.:
- MDS1528URH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 27,8 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.7V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 4,7 W | |
| Abmessungen | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 14 ns | |
| Vorwärtssteilheit | 20S | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 453 pF @ 15 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,3 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 5,5 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 27,8 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 4,7 W | ||
Abmessungen 4.9 x 3.9 x 1.5mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 14 ns | ||
Vorwärtssteilheit 20S | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Höhe 1.5mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 453 pF @ 15 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7,3 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.9mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 5,5 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN