N-Kanal MOSFET Transistor MDP1922TH, 100 V 97 A, TO-220 3-pin
- RS Stock No.:
- 871-4968
- Mfr. Part No.:
- MDP1922TH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.636 | CHF.6.33 |
| 50 - 90 | CHF.0.626 | CHF.6.21 |
| 100 - 290 | CHF.0.606 | CHF.6.09 |
| 300 - 490 | CHF.0.596 | CHF.5.97 |
| 500 + | CHF.0.586 | CHF.5.86 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 871-4968
- Mfr. Part No.:
- MDP1922TH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 97 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,4 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 157 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 39 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 13,8 ns | |
| Abmessungen | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 54,5 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3500 pF @ 40 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Vorwärtssteilheit | 60S | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 97 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,4 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 157 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 39 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 13,8 ns | ||
Abmessungen 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 54,5 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 3500 pF @ 40 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Vorwärtssteilheit 60S | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 16.51mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN