N-Kanal MOSFET Transistor MDP15N60GTH, 600 V 15 A, TO-220 3-pin
- RS Stock No.:
- 871-4952
- Mfr. Part No.:
- MDP15N60GTH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.151 | CHF.5.77 |
| 25 - 45 | CHF.1.131 | CHF.5.65 |
| 50 - 145 | CHF.1.111 | CHF.5.55 |
| 150 - 245 | CHF.1.091 | CHF.5.43 |
| 250 + | CHF.1.061 | CHF.5.31 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 871-4952
- Mfr. Part No.:
- MDP15N60GTH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 231,4 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.83mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 137 ns | |
| Vorwärtssteilheit | 11.5S | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2311 pF @ 25 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 57 ns | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 231,4 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.83mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 137 ns | ||
Vorwärtssteilheit 11.5S | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2311 pF @ 25 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 49 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 57 ns | ||
Höhe 16.51mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR