N-Kanal MOSFET Transistor MDD1501RH, 30 V 67,4 A, D-PAK 3-pin
- RS Stock No.:
- 871-4895
- Mfr. Part No.:
- MDD1501RH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.202 | CHF.4.95 |
| 125 - 225 | CHF.0.192 | CHF.4.85 |
| 250 - 475 | CHF.0.192 | CHF.4.75 |
| 500 - 2975 | CHF.0.182 | CHF.4.67 |
| 3000 + | CHF.0.182 | CHF.4.57 |
*price indicative
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- 871-4895
- Mfr. Part No.:
- MDD1501RH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 67 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,6 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.7V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 44,6 W | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 8,8 ns | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20,7 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1350 pF bei 15 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 29,5 ns | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Vorwärtssteilheit | 35S | |
| Breite | 6.22mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 67 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,6 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 44,6 W | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 8,8 ns | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,7 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1350 pF bei 15 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 29,5 ns | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Vorwärtssteilheit 35S | ||
Breite 6.22mm | ||
- COO (Country of Origin):
- KR