N-Kanal MOSFET Transistor MDC0531EURH Dual, 30 V 8 A, TSSOP 8-pin
- RS Stock No.:
- 871-4892
- Mfr. Part No.:
- MDC0531EURH
- Brand:
- MagnaChip
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.162 | CHF.3.94 |
| 125 - 225 | CHF.0.152 | CHF.3.86 |
| 250 - 475 | CHF.0.152 | CHF.3.79 |
| 500 - 2975 | CHF.0.152 | CHF.3.72 |
| 3000 + | CHF.0.141 | CHF.3.64 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 871-4892
- Mfr. Part No.:
- MDC0531EURH
- Brand:
- MagnaChip
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 23 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gehäusegröße | TSSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 1,7 W | |
| Länge | 3.1mm | |
| Abmessungen | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 3,5 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,7 nC @ 4,5 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 870 pF @ 15 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Vorwärtssteilheit | 33S | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 27 ns | |
| Breite | 4.5mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gehäusegröße TSSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Gemeinsamer Drain | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 1,7 W | ||
Länge 3.1mm | ||
Abmessungen 3.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 3,5 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,7 nC @ 4,5 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 870 pF @ 15 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Vorwärtssteilheit 33S | ||
Ausschaltverzögerungszeit 27 ns | ||
Breite 4.5mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN