N-Kanal MOSFET Transistor FQPF5N50CYDTU, 500 V 5 A, TO-220F 3-pin
- RS Stock No.:
- 862-8779P
- Mfr. Part No.:
- FQPF5N50CYDTU
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
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Units | Per unit |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.0.616 |
| 100 - 390 | CHF.0.535 |
| 400 - 790 | CHF.0.505 |
| 800 + | CHF.0.495 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 862-8779P
- Mfr. Part No.:
- FQPF5N50CYDTU
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 38 W | |
| Breite | 4.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Abmessungen | 10.16 x 4.7 x 15.87mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 480 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Serie | QFET | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 15.87mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,4 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 38 W | ||
Breite 4.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Abmessungen 10.16 x 4.7 x 15.87mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 10.16mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 480 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Serie QFET | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 15.87mm | ||