N-Kanal MOSFET Transistor DL2M100N5 Dual, 500 V 100 A, 6DM-2 6-pin
- RS Stock No.:
- 742-3356
- Mfr. Part No.:
- DL2M100N5
- Brand:
- DAWIN Electronics
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- RS Stock No.:
- 742-3356
- Mfr. Part No.:
- DL2M100N5
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- DAWIN Electronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | 6DM-2 | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 1 kW | |
| Abmessungen | 66 x 34 x 8mm | |
| Höhe | 8mm | |
| Länge | 66mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 34mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 12000 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 575 ns | |
| Einschaltverzögerungszeit | 220 ns | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße 6DM-2 | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 1 kW | ||
Abmessungen 66 x 34 x 8mm | ||
Höhe 8mm | ||
Länge 66mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 34mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 250 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 12000 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 575 ns | ||
Einschaltverzögerungszeit 220 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- KR