P-Kanal MOSFET Transistor BUZ906, -200 V 8 A, TO-3 2-pin
- RS Stock No.:
- 841-110
- Mfr. Part No.:
- BUZ906
- Brand:
- Magnatec
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Units | Per unit |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.12.88 |
| 25 - 99 | CHF.10.02 |
| 100 - 249 | CHF.8.00 |
| 250 - 499 | CHF.7.14 |
| 500 + | CHF.7.12 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 841-110
- Mfr. Part No.:
- BUZ906
- Brand:
- Magnatec
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -14 V, +14 V | |
| Gehäusegröße | TO-3 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 120 ns | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 60 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 25mm | |
| Länge | 39mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 8.7mm | |
| Abmessungen | 39 x 25 x 8.7mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -14 V, +14 V | ||
Gehäusegröße TO-3 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 120 ns | ||
Ausschaltverzögerungszeit 60 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 25mm | ||
Länge 39mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 8.7mm | ||
Abmessungen 39 x 25 x 8.7mm | ||
RoHS Status: Not Applicable
- COO (Country of Origin):
- GB