N-Kanal MOSFET Transistor & Diode IXFN180N15P, 150 V 150 A, SOT-227B 4-pin
- RS Stock No.:
- 194-259
- Mfr. Part No.:
- IXFN180N15P
- Brand:
- IXYS
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Units | Per unit |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.19.99 |
| 5 - 19 | CHF.19.59 |
| 20 - 49 | CHF.16.78 |
| 50 - 99 | CHF.16.44 |
| 100 + | CHF.15.49 |
*price indicative
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- Mfr. Part No.:
- IXFN180N15P
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Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montage-Typ | Frontplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 680 W | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 150 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 7000 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Abmessungen | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| Länge | 38.23mm | |
| Breite | 25.42mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 150 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montage-Typ Frontplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 680 W | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Höhe 9.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Ausschaltverzögerungszeit 150 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 7000 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 240 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Abmessungen 38.23 x 25.42 x 9.6mm | ||
Länge 38.23mm | ||
Breite 25.42mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||