N-Kanal MOSFET Transistor STB200NF04T4, 40 V 120 A, D2PAK 3-pin
- RS Stock No.:
- 134-576P
- Mfr. Part No.:
- STB200NF04T4
- Brand:
- STMicroelectronics
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- 134-576P
- Mfr. Part No.:
- STB200NF04T4
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- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 310 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 140 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 5100 pF bei 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Serie | STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 310 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 140 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 5100 pF bei 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 170 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Serie STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Höhe 4.6mm | ||