P-Kanal MOSFET Transistor FDFMA2P853, -20 V 3 A, MicroFET 6-pin
- RS Stock No.:
- 739-6207
- Mfr. Part No.:
- FDFMA2P853
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
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- RS Stock No.:
- 739-6207
- Mfr. Part No.:
- FDFMA2P853
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 1,4 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 435 pF @ –10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 15 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9 ns | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 2 x 2 x 0.75mm | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 1,4 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 435 pF @ –10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 15 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 2mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 9 ns | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 2 x 2 x 0.75mm | ||