N-Kanal MOSFET Transistor IRF3415PBF, 150 V 43 A, TO-220AB 3-pin
- RS Stock No.:
- 542-9232
- Mfr. Part No.:
- IRF3415PBF
- Brand:
- International Rectifier
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Units | Per unit |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.3.24 |
| 25 - 99 | CHF.1.72 |
| 100 - 249 | CHF.1.53 |
| 250 - 499 | CHF.1.51 |
| 500 + | CHF.1.42 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 542-9232
- Mfr. Part No.:
- IRF3415PBF
- Brand:
- International Rectifier
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 43 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 42 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 71 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 43 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 42 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 200 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2400 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 71 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 8.77mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||