Transistor IRF630 (Stange)
- RS Stock No.:
- 368-3210
- Mfr. Part No.:
- IRF630
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Stock information currently inaccessible
- RS Stock No.:
- 368-3210
- Mfr. Part No.:
- IRF630
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 74 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 10 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 39 ns | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 74 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 10 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 800 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 39 ns | ||
Non Compliant